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国家存储器基地项目在武汉光谷开工

12月30日,由国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投联合紫光集团共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区正式动工建设。

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该项目总投资240亿美元,主要生产存储器芯片,项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。


实施存储器项目是国家为实现我国集成电路产业跨越式发展的重大战略布局,国家存储器基地项目在武汉光谷开工,标志着中国集成电路存储芯片产业规模化发展零的突破。


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紫光集团董事长、长江存储公司董事长赵伟国


国家存储器基地项目的承担单位为长江存储科技股份有限责任公司。长江存储公司董事长赵伟国介绍,国家存储器基地项目的运作,是一种新模式的成功探索,这种新模式就是“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”的三合一。


据其介绍,这是湖北省建国以来最大的投资项目,也是中国集成电路行业单体投资最大的项目,还是中国目前最大的单体投资项目。


国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑。其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。


据悉,国家存储器基地项目将以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。项目建成后,以此为龙头将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,将为中国打破主流存储器领域空白,实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。


目前,湖北省和武汉市正在举全省、全市之力,聚全球资源,将这一项目打造成湖北省调结构、实现转型跨越发展的千亿高科技产业项目。此前,湖北省已拥有芯片设计、制造、封装材料等相关企业 60 多家,武汉则是国家重点支持的集成电路四大产业聚区之一。


作为项目承载地的武汉东湖高新区,正在加快引进芯片设计、封装测试等环节的重点企业,积极打造集成电路产业生态体系,并正在组建武汉国际微电子学院、集成电路工业研究院、国家IP交易中心,努力打造世界级的集成电路产业创新中心。


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